近幾年來，大眾對光刻技術已經有所了解。光刻技術是半導體制造中不可或缺的一部分，光刻是將光學圖形轉移到硅晶圓表面上的過程。而且隨著芯片制程來到7nm以下，還需要極紫外（EUV）光刻技術。

EUV光刻機的供應商荷蘭的ASML，正在不斷改進EUV光刻機的性能，包括提高光源功率、提升圖案覆蓋率和減少機器停機時間。一臺EUV光刻機的價格大約接近1.7億美元，未來每個High-NA EUV光刻機的成本將超過3.5億美元。

隨著芯片晶體管線寬已趨近物理極限，而且EUV光刻機產能有限、成本高等發展難題之下，納米壓印技術（NIL）走到了臺前。納米壓印是一種創新的納米制造技術，它通過物理壓印方法來創建納米級別的圖案。相比傳統的光刻技術，NIL提供了更高的分辨率、更低的成本和更快的生產速度。在半導體制造、納米器件生產和各種納米級應用中受到了廣泛關注。

08寬禁帶半導體

寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于2.4 eV的半導體材料。寬禁帶半導體如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在2023年得到了更廣泛的應用。它們因其在高溫、高電壓和高頻率下的優異性能而受到青睞，尤其是在電力電子和電動汽車領域。

SiC的熱度。Yole的數據，到2027年，SiC器件市場預計將從2021年的10億美元增長到60 億美元以上。因此，眾多的功率半導體廠商如英飛凌、ST、安森美、羅姆等都重磅押注SiC。下游的汽車廠商爭著抱這些SiC巨頭的“大腿”，與這些廠商簽訂長約。瑞薩也不甘于人后，豪擲20億美元與WolfSpeed簽署 10 年碳化硅晶圓供應協議宣布入局SiC。

在SiC MOSFET的技術發展路線上，呈現出“平面柵”和“溝槽刪”花開兩朵的局勢。國際的SiC巨頭如羅姆、英飛凌、日本電裝、住友電工、三菱電機、ST、安森美、Qorvo等基本上都在布局溝槽式。國內方面目前大多以平面柵為主。

氮化鎵也具有獨特的優勢，隨著東芝、羅姆等大廠的相繼入場，讓GaN成為了功率半導體新的增長點。從技術發展來看，GaN器件也有兩種技術路線，分別是：平面型和垂直型，平面型GaN器件通常基于非本征襯底，如Si、SiC、藍寶石（Sapphire）等，但是平面型的不同襯底各自有難以改變的缺點，難以滿足大家的需求；因此，垂直型的GaN-on-GaN帶來了新的希望。不少專家預測，氮化鎵的前景之廣闊，比SiC有過之無不及。

而金剛石（也稱鉆石）則被稱為是半導體的終極材料。它具有最高的熱導率，這意味著它能夠非常有效地散發熱量，在高功率電子器件中，熱管理是一個重要問題，金剛石半導體在這方面具有明顯優勢。此外它還具有極高的絕緣性，一組數據可以有著直觀的感受：硅材料的擊穿電場強度為0.3 MV/cm左右，SiC為3 MV/cm，GaN為5 MV/cm，而鉆石則為10 MV/cm。

更重要的是，已經有公司研究證明，金剛石可與集成電路晶圓直接粘合。金剛石半導體在提高能源效率、減小體積以及提高性能方面顯示出巨大的潛力。金剛石半導體也有望應用于射頻通信、高頻率電子器件、粒子探測器，甚至在未來的量子計算領域。

硅光子技術（Silicon Photonics）被業界視為突破現有技術瓶頸、開啟摩爾定律新篇章的關鍵。臺積電聲稱硅光子代表了半導體的新時代。

硅光子技術由英特爾于2010年推出，硅光子技術的核心在于集成「光」路，即在硅基平臺上將電信號轉換為光信號，實現電與光的高效傳導。光與電子的結合不僅解決了傳統銅導線在信號傳輸過程中的能量損耗問題，更為芯片間的高速通信提供了前所未有的可能性。由于其成本相對較高，目前僅限于數據中心和服務器市場。

如今在全球市場中，我們正在見證一場前所未有的范式轉變。在 OpenAI的ChatGPT引起消費者和投資者的關注后，各行業的企業都在競相整合人工智能功能。美股市值超1萬億的巨頭中，蘋果以3.08兆美元的市值位列榜首，緊隨其后的是微軟（2.51兆美元）、Google母公司Alphabet（1.67兆美元）、亞馬遜（1.35兆美元）和英偉達（1.15兆美元），除蘋果依靠iPhone等消費類設備，其他四家科技巨擘都在全力推動與AI領域的融合。

AI這場東風，也使得芯片供應鏈中的企業獲益匪淺，首先是，英偉達憑GPU獨攬整個生成式AI芯片市場，SK海力士和三星等因HBM而受惠，負責封裝和代工的臺積電也是供不應求，產能直線告急，日月光/SPIL等封測廠得以從臺積電手中分得封裝外包訂單。還有眾多AI芯片玩家在虎視眈眈，就連IBM也在推其潛心研究了5年的AIU芯片。生成式人工智能的“淘金熱”，正在率先讓一部分“賣鏟人”富起來。

放眼全球芯片市場，x86與ARM指令集架構各立山頭。前者在通用處理器市場稱霸多年，在PC及服務器市場一家獨大；后者隨著移動互聯網大潮崛起，成為當下移動端最主流的處理器架構，而憑借開源、精簡、模塊化的優勢，RISC-V開始備受企業追捧，正在成為搭建計算生態的一種新選擇。

2015年，RISC-V國際基金會的成立，將RISC-V從高校推向產業界，其生態建設才開始加速。與此同時，RISC-V的發展與同時期興起的物聯網熱潮不謀而合。物聯網市場的爆發改變了x86和ARM兩強稱霸的局面，RISC-V架構開放、靈活、精簡的獨特優勢完美解決了物聯網領域對碎片化和差異化的市場需求。

據統計，2022年全球采用RISC-V架構的處理器出貨量超過100億顆，僅用十二年就走完了傳統架構30年的發展歷程。據Counterpoint Research預測，2025年RISC-V架構芯片預計將突破800億顆，年復合增長率高達114.9%。RISC-V的商業化價值將更加凸顯。

據Yole所說，每個新芯片設計都需要設計和工程資源，并且由于新節點的復雜性不斷增加，每個新工藝節點的新設計的典型成本也隨之增加。這進一步激勵人們創建可重復使用的設計。小芯片設計理念使這成為可能，因為只需改變小芯片的數量和組合即可實現新的產品配置，而不是啟動新的單片設計。例如，通過將單個小芯片集成到 1、2、3 和 4 芯片配置中，可以從單個流片創建 4 種不同的處理器品種。如果完全通過整體方法完成，則需要 4 次單獨的流片。

正因為如此，異構小芯片集成市場正在快速增長。據估計，小芯片的市場價值預計到 2025 年將達到 57 億美元，到 2031 年將達到 472 億美元。電子設計中對高性能計算、數據分析、模塊化和定制的需求不斷增長正在推動這一增長。